Учащиеся Школьной Лиги РОСНАНО в Конкурсе Intel ISEF

пт, 03/02/2012 - 21:36 — Изяслав Ахметзянов
Учащиеся Школьной Лиги РОСНАНО в Конкурсе Intel ISEF

Конкурс Intel ISEF (Intel International Science and Engineering Fair) – всемирный научный праздник.

В этом учебном году четверо учащихся Лицея №2 из г. Чебоксары сумели пробиться в три полуфинала Intel ISEF в общей сложности с 6-ю работами!

ISEF, организованный силами американской общественности в 1950 году, – единственное в своем роде международное мероприятие для подростков от 13 до 18 лет. В качестве судей в жюри работают профессора и сотрудники ведущих институтов США: IEEE, ACM.

С 1996 года корпорация Intel является генеральным спонсором ISEF.

Более 20 победителей Intel ISEF впоследствии стали нобелевскими лауреатами, а трое – лауреатами премии Филдса, высшей награды в области математики.

 Миллионы старшеклассников участвуют в региональных смотрах по всему миру. Около 1500 учащихся из более чем 50 стран, областей и регионов принимают участие в финале Intel ISEF. Победители Intel ISEF получают награды и стипендии на общую сумму 4 миллиона долларов США.

В этом учебном году четверо учащихся Лицея №2 из г. Чебоксары сумели пробиться в три полуфинала Intel ISEF в общей сложности с 6-ю работами!

Причем, выступили лицеисты  достойно.

В турнире «Ученые будущего» в Москве Р.Годявин получил специальный Приз РОСНАНО, в турнире «РОСТ- ISEF» в Нижнем Новгороде Д.Купчиков и А. Георгиев стали Лауреатами, в завершившемся 3.02.2012 г. в Санкт - Петербурге Балтийском научно-инженерном конкурсе Д.Купчиков получил Приз учительского жюри.

К слову, Д.Купчиков и еще один участник Балтийского научно-инженерного конкурса И.Никифоров, оба –участники Нанограда, в  конце декабря 2011 г. заняли третьи места в Первом конкурсе  «НБИК-Т», проведенном НИЦ «Курчатовский институт».

В Трудах этого Конкурса опубликованы материалы исследований 7-х учащихся Лицея №2.

Поздравляю юных ученых и их руководителей и желаю новых успехов.

 

Научный руководитель Лицея №2,

академик, вице-президент Регионального отделения

Академии электротехнических наук РФ

И.Ахметзянов